- 企业类型:
企业单位 ()
- 经营模式:
- 荣誉认证:
- 保 证 金:
已缴纳 0.00 元
- 注册年份:
2017
- 主 营:
电驱动碳化硅SiC模块,汽车主驱碳化硅MOSFET模块,EV Driver SiC MOSFET,定制IGBT模块,汽车IGBT模块,电动汽车碳化硅模块,国产SiC MOSFET,碳化硅SiC MOSFET分立器件,碳化硅SiC MOSFET模块,混合SiC-IGBT单管,三电平IGBT模块,I型三电平SiC模块,T型三电平SiC模块,IGBT模块,英飞凌SiC碳化硅MOSFET国产替代,安森美SiC碳化硅MOSFET国产替代,ST碳化硅MOSFET国产替代,CREE wolfspeed SiC碳化硅国产
- 地 址:
深圳市龙华区龙光玖钻商务中心南期B座1926
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产品分类
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BASiC基本半导体碳化硅SiC功率MOSFE,BASiC基本半导体碳化硅MOSFET模块,BASiC基本半导体单管IGBT,BASiC基本半导体IGBT模块,BASiC基本半导体三电平IGBT模块,BASiC基本半导体I型三电平IGBT模块,BASiC基本半导体T型三电平IGBT模块,BASiC基本半导体混合SiC-IGBT单管,BASiC基本半导体混合SiC-IGBT模块,单通道隔离驱动芯片BTD5350,双通道隔离驱动芯片BTD21520,单通道隔离驱动芯片(带VCE保护)BTD3011,BASiC基本半导体混合SiC-IGBT三电平模块应用于光伏逆变器,双向AC-DC电源,户用光伏逆变器,户用光储一体机,储能变流器,储能PCS,双向LLC电源模块,储能PCS-Buck-Boost电路,光储一体机,PCS双向变流器,三相维也纳PFC电路,三电平LLC直流变换器,移相全桥拓扑等新能源领域。
基本半导体全碳化硅MOSFET模块,Easy封装全碳化硅MOSFET模块,62mm封装全碳化硅MOSFET模块,Full SiC Module,SiC MOSFET模块适用于超级充电桩,V2G充电桩,高压柔性直流输电智能电网(HVDC),空调热泵驱动,机车辅助电源,储能变流器PCS,光伏逆变器,超高频逆变焊机,超高频伺服驱动器,高速电机变频器,MRI医疗电源等. 光伏逆变器专用直流升压模块BOOST Module-光伏MPPT,PV Inverter交流双拼 ANPC 拓扑逆变模块。
NPC(Neutral Point Clamped)三电平拓扑结构是一种应用最为广泛的多电平拓扑结构。近年来随着电力电子技术在电力行业的发展,NPC三电平技术开始越来越多的应用到各个领域,包括光伏逆变器、风电变流器、高压变频器、UPS、APF/SVG、高频电源等都有着广泛的应用。NPC拓扑最常用的有两种结构,就是我们常说的“I”字型(也称NPC1)和“T”字型(也称NPC2、MNPC、TNPC、NPP等)。另外ANPC也是一种NPC1的改进型,这些年随着器件的发展,ANPC也开始有一些适合的应用。
在分时电价完善、峰谷电价差拉大、限电事件频发等多重因素驱动下,工商业储能的经济性明显提升。工商业储能是用户侧储能系统的主要类型之一,可以最大化提升光伏自发自用率,降低工商业业主的电费开支,助力企业节能减排。
工商业储能装机有望在政策鼓励、限电刺激、电价改革等利好因素刺激下进入高速增长期,复合增速有望持续飙升。
基本半导体混合IGBT单管在工商业储能PCS变流器中的应用指南:
工商业储能PCS变流器:
1、主要功率点位:35kW、50kW、70kW(35kW两模块并)、100kW(50kW模块两并)、125kW(62.5kW模块两并),功率点位的选择主要取决于电池容量,都是标准值;
2、T型三电平是主流方案,出于竞争力考量,采用分立器件IGBT;T型三电平的开关频率,目前主要在16-20kHz之间
3、35kW单机方案:TO-247封装单管IGBT是现阶段主力,横管用650V 50AIGBT两并联,竖管用1200V 40A IGBT 3颗并联或者1200V 25A IGBT 4颗并联。
4、单机功率要跃迁到50kW和62.5kW,纯硅IGBT的并联个数太多,不符合客户的利益要求,功率越往上走,客户有很强的动力减少IGBT单管的数量,混合IGBT具有明显的应用优势,横管竖管都使用混合IGBT,可以最大限度压低IGBT开通电阻,降低IGBT开关损耗,最大限度发挥混管的性能。客户将IGBT的开通关断电阻分开,如果横管跟竖管同时选择混管,理论上可以将开通电阻调到0Ω,大大降级IGBT的损耗,这么一来,可以缩小混管跟全碳MSOFET在这种方案中的差距,最大程度发挥混管的性能。1200V碳化硅MOSFET的方案现阶段评估成本还太高,无法干过混管。混管在现有方案中具有较强的发展潜力和生命力。
横管混合IGBT选型推荐:BGH50N65HF1,BGH50N65HS1,BGH50N65ZF1,BGH75N65HF1,BGH75N65ZF1
竖管混合IGBT选型推荐:BGH40N120HF1,BGH40N120HS1,BGH75N120HF1,BGH75N120HS1
基本半导体混合碳化硅分立器件将新型场截止IGBT技术和碳化硅肖特基二极管技术相结合,为硬开关拓扑打造了一个兼顾品质和性价比的方案。该器件将传统的硅基IGBT和碳化硅肖特基二极管合封,在部分应用中可以替代传统的IGBT(硅基IGBT与硅基快恢复二极管合封),使IGBT的开关损耗大幅降低,适用于储能(ESS)、车载充电器(OBC)、不间断电源(UPS)、光伏组串逆变器等领域。
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公司名称: |
新锐晶科技(深圳)有限公司 |
公司类型: |
企业单位 () |
所 在 地: |
广东/深圳市 |
公司规模: |
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注册资本: |
未填写 |
注册年份: |
2017 |
资料认证: |
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保 证 金: |
已缴纳 0.00 元 |
经营范围: |
电驱动碳化硅SiC模块,汽车主驱碳化硅MOSFET模块,EV Driver SiC MOSFET,定制IGBT模块,汽车IGBT模块,电动汽车碳化硅模块,国产SiC MOSFET,碳化硅SiC MOSFET分立器件,碳化硅SiC MOSFET模块,混合SiC-IGBT单管,三电平IGBT模块,I型三电平SiC模块,T型三电平SiC模块,IGBT模块,英飞凌SiC碳化硅MOSFET国产替代,安森美SiC碳化硅MOSFET国产替代,ST碳化硅MOSFET国产替代,CREE wolfspeed SiC碳化硅国产 |
销售的产品: |
英飞凌IGBT国产替代,英飞凌碳化硅模块国产替代,三菱IPM国产替代,赛米控IGBT国产替代,安森美IGBT国产替代,Vincotech三电平IGBT模块国产替代,FUJI富士IGBT-IPM国产替代,FUJI富士X系列IGBT模块国产替代,热泵驱动SiC MOSFET,Hybrid SiC Module,混合IGBT模块,混合碳化硅功率模块,Full SiC Module,62mm Hybrid SiC Module,混合型SiC模块,混合SiC模块,功率半导体,IGBT 混合型SiC模块,EconoD |
采购的产品: |
汽车主驱碳化硅MOSFET模块,储能变流器碳化硅MOSFET,定制IGBT模块,汽车IGBT模块,光伏逆变器IGBT,SiC MOSFET,分立IGBT,混合IGBT模块,混合三电平SiC-IGBT模块,光伏逆变器SiC MOSFET,IGBT Hybrid Discrete,IGBT单管,混合IGBT单管,国产SiC MOSFET,SiC Power MOSFET,国产SiC MOSFET模块,SOT-227碳化硅肖特基二极管模块,混合SiC-IGBT模块,BASiC基本混合混合SiC-IGBT单管,分 |
主营行业: |
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